Хадамоти ягонаи SON8 TPS7A8101QDRBRQ1 бо микросхемаҳои аслӣ ва нави электронии IC
Хусусиятҳои маҳсулот
| TYPE | ТАВСИФИ |
| Категория | Схемаи интегралӣ (ICs) |
| Mfr | Техас Асбобҳо |
| Силсила | Автомобилӣ, AEC-Q100 |
| Баста | Лента ва ғилдирак (TR) Лентаи буриш (CT) Digi-Reel® |
| SPQ | 3000 T&R |
| Ҳолати маҳсулот | Фаъол |
| Конфигуратсияи баромад | мусбат |
| Навъи баромад | Танзимшаванда |
| Шумораи танзимгарон | 1 |
| Шиддат - Вуруд (Макс) | 6,5 В |
| Шиддат - Баромад (дақ/собит) | 0,8В |
| Шиддат - Баромад (максимум) | 6V |
| Қатъи шиддат (макс) | 0,5В @ 1А |
| ҷорӣ - Натиҷа | 1A |
| Ҷорӣ - Хомӯш (Iq) | 100 мкА |
| ҷорӣ - Таъминот (максимум) | 350 мкА |
| PSRR | 48дБ ~ 38дБ (100Гц ~ 1МГс) |
| Хусусиятҳои назорат | Фаъол кардан |
| Хусусиятҳои муҳофизатӣ | Ҷараёни аз ҳад зиёд, ҳарорат аз ҳад зиёд, қутбияти баръакс, қулфи зери шиддат (UVLO) |
| Ҳарорати корӣ | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Навъи васлкунӣ | Монтажи рӯизаминӣ |
| Баста / парванда | 8-VDFN лавҳаи фошшуда |
| Бастаи дастгоҳи таъминкунанда | 8-Писар (3х3) |
| Рақами маҳсулоти асосӣ | TPS7A8101 |
LDO ё танзимгари тарки паст, як танзимгари хатти пасти тарки тарканда мебошад, ки як транзистор ё найи эффекти саҳроӣ (FET) -ро истифода мебарад, ки дар минтақаи сершавии он кор мекунад, то шиддати зиёдатиро аз шиддати воридотӣ барои тавлиди шиддати танзимшавандаи баромад хориҷ кунад.
Чор унсури асосӣ тарки тарки, садо, таносуби радкунии таъминоти барқ (PSRR) ва ҷорӣ Iq ором мебошанд.
Ҷузъҳои асосӣ: схемаи оғозёбӣ, воҳиди ғарази манбаи доимии ҷорӣ, схемаи фаъолкунӣ, унсури танзимкунанда, манбаи истинод, пурқувваткунандаи хато, шабакаи муқовимати бозгашт ва схемаи муҳофизат ва ғайра.
Принсипи амалиёт
Схемаи асосии LDO аз танзимгари силсилаи VT, резисторҳои намунагирӣ R1 ва R2 ва пурқувваткунандаи муқоисаи А иборат аст.
Система фаъол карда мешавад, агар пинҳои фаъол дар сатҳи баланд бошад, схема оғоз меёбад, схемаи манбаи доимии ҷараён ба тамоми занҷир ғаразро таъмин мекунад, шиддати манбаи истинод зуд муқаррар карда мешавад ва шиддати вуруди танзимнашаванда ҳамчун шиддат истифода мешавад. аз таъминоти барқ, шиддати истинод ҳамчун шиддати вуруди фазаи манфии афзояндаи хато истифода мешавад, шабакаи бозгашти резистор шиддати баромадро тақсим мекунад ва шиддати бозгаштро ба даст меорад, ин шиддати бозгашт ба ҳамон самти терминали муқоисакунандаи хато ворид мешавад, ва манфӣ Ин шиддати бозгашт ба тарафи изотропии муқоисакунандаи хато ворид карда мешавад ва бо шиддати истинод манфӣ муқоиса карда мешавад.Тафовути байни ду шиддат аз ҷониби пурзӯркунандаи хато барои мустақиман идора кардани дарвозаи элементи танзимкунандаи барқ тақвият дода мешавад ва баромади LDO тавассути тағир додани ҳолати интиқоли найчаи танзимкунанда, яъне Vout = (R1 + R2)/ R2 × Vref
Танзимгари воқеии хатти тарки паст инчунин вазифаҳои дигар дорад, аз қабили муҳофизати ноқилҳои кӯтоҳи сарборӣ, қатъ кардани шиддати аз ҳад зиёд, қатъи гармӣ, муҳофизати пайвасти баръакс ва ғайра.
Афзалиятҳо, нуқсонҳо ва вазъи кунунӣ
Танзимгарони хаттии шиддати пасти тарки (LDO) арзиши паст, садои паст, ҷараёни пасти ором, чанд ҷузъҳои беруна, одатан танҳо як ё ду конденсаторҳои даврӣ мебошанд ва садои хеле пасти худ ва таносуби баланди радкунии таъминоти барқ (PSRR) доранд.LDO як системаи миниатюрӣ дар чип (SoC) бо истеъмоли хеле кам мебошад.Онро барои назорати канали асосии ҷорӣ истифода бурдан мумкин аст ва дорои микросхемаҳои сахтафзори интегралӣ, ба монанди MOSFETҳо бо муқовимати хеле пасти дарунсохт, диодҳои Шоттки, резисторҳои намунагирӣ ва тақсимкунакҳои шиддат, инчунин муҳофизати аз ҳад зиёд, муҳофизат аз ҳарорат, манбаъҳои истинодҳои дақиқ, пурқувваткунакҳои дифференсиалӣ, таъхиркунакҳо ва ғайра. PG насли нави LDO мебошад, ки барои ҳар як ҳолати баромад ва таъминоти бехатарии таъхирнопазири қувваи барқ мебошад, ки онро инчунин метавонад Power Good, яъне "қувваи хуб ё устувори барқ" номид. .Бисёре аз LDOҳо барои кори устувор танҳо як конденсатор дар даромад ва як конденсатор дар баромад лозиманд.
LDO-ҳои нав метавонанд хусусиятҳои зеринро ба даст оранд: садои баромади 30 мкВ, PSRR 60 дБ, ҷараёни оромии 6 мкА ва пастшавии шиддат танҳо 100 мВ.Сабаби асосии ин беҳтар шудани кори танзимгарони хаттии LDO дар он аст, ки танзимгари истифодашаванда як канали P-канали MOSFET мебошад, ки бо шиддат идора карда мешавад ва ҷараёнро талаб намекунад, ҷараёни истеъмоли худи дастгоҳ ва пастшавии шиддатро дар он коҳиш медиҳад.таркиш тақрибан ба ҳосили ҷараёни баромад ва муқовимат баробар аст.Пастшавии шиддат дар MOSFET аз сабаби муқовимати пасти он хеле паст аст.Танзимгарони хаттии умумӣ транзисторҳои PNP -ро истифода мебаранд.Дар схемаҳое, ки транзисторҳои PNP доранд, пастшавии шиддат байни вуруд ва баромад набояд хеле паст бошад, то транзистори PNP ба сершавӣ ва коҳиш додани қобилияти баромад пешгирӣ кунад.
