Чипи электронии ic Дастгирии BOM Service TPS54560BDDAR ҷузъи нави микросхемаҳои электронии ic
Хусусиятҳои маҳсулот
| TYPE | ТАВСИФИ |
| Категория | Схемаи интегралӣ (ICs) |
| Mfr | Техас Асбобҳо |
| Силсила | Eco-Mode™ |
| Баста | Лента ва ғилдирак (TR) Лентаи буриш (CT) Digi-Reel® |
| SPQ | 2500Т&Р |
| Ҳолати маҳсулот | Фаъол |
| Функсия | Поён |
| Конфигуратсияи баромад | мусбат |
| Топология | Бак, Роҳи тақсимшуда |
| Навъи баромад | Танзимшаванда |
| Шумораи баромадҳо | 1 |
| Шиддат - Вуруд (дақ) | 4,5В |
| Шиддат - Вуруд (Макс) | 60В |
| Шиддат - Баромад (дақ/собит) | 0,8В |
| Шиддат - Баромад (максимум) | 58,8В |
| ҷорӣ - Натиҷа | 5A |
| Фосила - Гузариш | 500 кГц |
| Ректфикатори синхронӣ | No |
| Ҳарорати корӣ | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Навъи васлкунӣ | Монтажи рӯизаминӣ |
| Баста / парванда | 8-PowerSOIC (0,154", паҳнои 3,90мм) |
| Бастаи дастгоҳи таъминкунанда | 8-SO PowerPad |
| Рақами маҳсулоти асосӣ | TPS54560 |
1.Номгузории IC, маҷмӯи донишҳои умумӣ ва қоидаҳои номгузорӣ:
Диапазони ҳарорат.
C=0°C то 60°C (синфи тиҷоратӣ);I=-20°C то 85°C (дар дараҷаи саноатӣ);E = -40 ° C то 85 ° C (дараҷаи васеъи саноатӣ);A = -40 ° C то 82 ° C (дараҷаи аэрокосмосӣ);M = -55 ° C то 125 ° C (дараҷаи ҳарбӣ)
Навъи баста.
A-SSOP;B-CERQUAD;C-TO-200, TQFP;D-болои миси сафолӣ;E-QSOP;F-Ceramic SOP;H- SBGAJ-Ceramic DIP;К-ТО-3;L-LCC, M-MQFP;N-DIP танг;N-DIP;Q PLCC;R - DIP сафолии танг (300милл);S - ТО-52, Т - ТО5, ТО-99, ТО-100;U - TSSOP, uMAX, SOT;В - Омили шакли хурди васеъ (300 мил) W-фактори шакли хурди васеъ (300 мил);X-SC-60 (3P, 5P, 6P);Y-боли миси танг;Z-TO-92, MQUAD;D-Бимиред;/PR-Пластикии мустаҳкамшуда;/W-Вафер.
Шумораи пинҳо:
а-8;б-10;в-12, 192;д-14;д-16;f-22, 256;g-4;h-4;i -4;H-4;I-28;J-2;К-5, 68;Л-40;М-6, 48;N 18;О-42;П-20;Q-2, 100;R-3, 843;S-4, 80;Т-6, 160;U-60 -6,160;U-60;V-8 (давра);W-10 (давра);X-36;Y-8 (давра);Z-10 (давра).(давра).
Эзоҳ: Ҳарфи аввали суффикси чаҳор ҳарфи синфи интерфейс E мебошад, ки ин маънои онро дорад, ки дастгоҳ функсияи антистатикӣ дорад.
2.Инкишофи технологияи бастабандӣ
Аввалин микросхемаҳои интегралӣ бастаҳои ҳамвори сафолиро истифода мебурданд, ки бо сабаби эътимоднокӣ ва андозаи хурд аз ҷониби низомиён солҳои зиёд истифода мешуданд.Бастабандии схемаҳои тиҷоратӣ ба зудӣ ба бастаҳои дугонаи дарунсохт, ки аз сафолӣ ва сипас пластикӣ оғоз ёфт, гузашт ва дар солҳои 1980 шумораи пинҳои схемаҳои VLSI аз ҳудуди татбиқи бастаҳои DIP зиёд шуд, ки дар ниҳоят ба пайдоиши массивҳои шабакаи пин ва интиқолдиҳандагони чип оварда расонд.
Бастаи васлшавандаи рӯизаминӣ дар аввали солҳои 1980 пайдо шуд ва дар охири даҳсола маъмул шуд.Он як қабати пинҳои хубтарро истифода мебарад ва шакли пин-ҷинҳо ё J-шакл дорад.Масалан, микросхемаи интегралии хурд (SOIC), масоҳати 30-50% камтар ва нисбат ба DIP муодили он 70% камтар ғафс аст.Ин маҷмӯа дорои пинҳои болҳои гулобшакл, ки аз ду тарафи дароз мебароянд ва як қабати пиндори 0,05".
Бастаҳои хурди интегралӣ (SOIC) ва PLCC.дар солҳои 1990-ум, гарчанде ки бастаи PGA ҳоло ҳам аксар вақт барои микропросессорҳои баландсифат истифода мешуд.PQFP ва бастаи лоғар-контури хурд (TSOP) бастаи муқаррарии дастгоҳҳои ҳисобкунии пинҳои баланд гардид.Микропросессорҳои баландсифати Intel ва AMD аз бастаҳои PGA (Pine Grid Array) ба бастаҳои Land Grid Array (LGA) гузаштанд.
Бастаҳои Ball Grid Array дар солҳои 1970 пайдо шуданд ва дар солҳои 1990 бастаи FCBGA бо шумораи пинҳои баландтар нисбат ба дигар бастаҳо таҳия карда шуд.Дар бастаи FCBGA, штамп ба боло ва поён парпеч карда мешавад ва ба тӯбҳои кафшер дар баста тавассути қабати асосии ба монанди PCB на симҳо пайваст карда мешавад.Дар бозори имрӯза бастабандӣ низ ҳоло як ҷузъи ҷудогонаи раванд аст ва технологияи бастабандӣ низ метавонад ба сифат ва ҳосили маҳсулот таъсир расонад.
