10AX066H3F34E2SG 100% нав ва аслӣ щуввазиёдкунии изолятсия 1 дифференсиалии 8-SOP
Хусусиятҳои маҳсулот
| ИА RoHS | Мутобиқ |
| ECCN (ИМА) | 3A001.a.7.b |
| Ҳолати қисм | Фаъол |
| HTS | 8542.39.00.01 |
| Автомобилӣ | No |
| PPAP | No |
| Насаб | Arria® 10 GX |
| Технологияи равандҳо | 20нм |
| I/O-ҳои корбар | 492 |
| Шумораи реестрҳо | 1002160 |
| Шиддати таъминоти корӣ (V) | 0,9 |
| Унсурҳои мантиқӣ | 660000 |
| Шумораи мултипликаторҳо | 3356 (18x19) |
| Навъи хотираи барнома | SRAM |
| Хотираи дохилшуда (Кбит) | 42660 |
| Шумораи умумии блоки RAM | 2133 |
| Воҳидҳои мантиқии дастгоҳ | 660000 |
| Шумораи дастгоҳҳои DLL/PLL | 16 |
| Каналҳои интиқолдиҳанда | 24 |
| Суръати интиқолдиҳанда (Gbps) | 17.4 |
| DSP бахшидашуда | 1678 |
| PCIe | 2 |
| Барномасозӣ | Бале |
| Дастгирии дубора барномарезӣ кардан | Бале |
| Муҳофизати нусхабардорӣ | Бале |
| Барномасозӣ дар дохили система | Бале |
| Дараҷаи суръат | 3 |
| Стандартҳои яктарафаи воридот / баромад | LVTTL | LVCMOS |
| Интерфейси хотираи беруна | DDR3 SDRAM|DDR4|LPDDR3|RLDRAM II|RLDRAM III|QDRII+SRAM |
| Шиддати ҳадди ақали таъминоти корӣ (V) | 0,87 |
| Максимум шиддати таъминоти корӣ (V) | 0,93 |
| Шиддати даромад/х (V) | 1,2|1,25|1,35|1,5|1,8|2,5|3 |
| Ҳарорати ҳадди ақали корӣ (°C) | 0 |
| Ҳарорати максималии корӣ (°C) | 100 |
| Дараҷаи ҳарорати таъминкунанда | дароз карда шудааст |
| Номи тиҷоратӣ | Арриа |
| Монтаж | Монтажи рӯизаминӣ |
| Баландии баста | 2.63 |
| Паҳнои баста | 35 |
| Дарозии баста | 35 |
| PCB иваз карда шуд | 1152 |
| Номи бастаи стандартӣ | BGA |
| Бастаи таъминкунанда | FC-FBGA |
| Шумораи PIN | 1152 |
| Шакли сурб | Туб |
Навъи схемаи интегралӣ
Дар муқоиса бо электронҳо, фотонҳо массаи статикӣ надоранд, таъсири мутақобилаи заиф, қобилияти қавии зидди дахолатнопазирӣ доранд ва барои интиқоли иттилоот бештар мувофиқанд.Интизор меравад, ки пайвасти оптикӣ ба технологияи аслӣ барои шикастани девори масрафи барқ, девори нигаҳдорӣ ва девори коммуникатсия табдил ёбад.Дастгоҳҳои равшанӣ, пайвасткунанда, модулятор, мавҷгузар ба хусусиятҳои оптикии зичии баланд, аз қабили микросистемаи ҳамгирошудаи фотоэлектрикӣ муттаҳид карда шудаанд, метавонанд сифат, ҳаҷм, масрафи қувваи интегратсияи фотоэлектрикии зичии баланд, платформаи ҳамгироии фотоэлектрикӣ, аз ҷумла III - V монолитии нимноқилҳои монолитӣ (INP) -ро иҷро кунанд. ) платформаи ҳамгироии ғайрифаъол, платформаи силикат ё шиша (мавҷи оптикии ҳамвор, PLC) ва платформаи бар кремний.
Платформаи InP асосан барои истеҳсоли лазер, модулятор, детектор ва дигар дастгоҳҳои фаъол, сатҳи пасти технология, арзиши баланди субстрат истифода мешавад;Истифодаи платформаи PLC барои истеҳсоли ҷузъҳои ғайрифаъол, талафоти кам, ҳаҷми калон;Мушкилоти калонтарини ҳарду платформа дар он аст, ки маводҳо бо электроникаи бар кремний асосёфта мувофиқ нестанд.Бартарии барҷастаи ҳамгироии фотоникӣ дар асоси кремний дар он аст, ки ин раванд бо раванди CMOS мувофиқ аст ва арзиши истеҳсолот паст аст, аз ин рӯ он схемаи эҳтимолии оптоэлектронӣ ва ҳатто ҳама оптикии интегратсия ҳисобида мешавад.
Ду усули ҳамгироӣ барои дастгоҳҳои фотоникӣ дар асоси кремний ва схемаҳои CMOS мавҷуданд.
Бартарии пештара дар он аст, ки дастгоҳҳои фотоникӣ ва дастгоҳҳои электрониро алоҳида оптимизатсия кардан мумкин аст, аммо бастабандии минбаъда душвор аст ва барномаҳои тиҷоратӣ маҳдуданд.Охирин тарҳрезӣ ва коркарди ҳамгироии ду дастгоҳ душвор аст.Дар айни замон, монтажи гибридӣ дар асоси интегратсияи зарраҳои ҳастаӣ беҳтарин интихоб аст
-
Рӯйхати ҷузъҳои электронии микросхемаҳои Mcu TLC7...
-
Adum121n1brz ADUM121N1BRZ BOM Таъминкунандаи Интегратсия...
-
TO-252 IPD33CN10NG бо чипи баландсифати интиқол...
-
Original нав дар саҳҳомӣ MOSFET транзистори диод T...
-
Компонентҳои электронии IC Chips Circu Integrated...
-
Чипҳои микросхемаҳои интегралӣ IC дар як ҷой EPM240-ро мехаранд...