-
ONEHONG Схемаи нав ва аслии интегратсионӣ ба фурӯши гарм ҷузъҳои электронии shenzhen ic чипи BSC016N06NS
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ href=”https://www.digikey.com/en/products/filter/transistors-fets-mosfets-single/278″ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon OptiMOlogics™Sies Навори бастабандӣ ва ғилдирак (TR) Лентаи буриш (CT) Digi-Reel® Ҳолати Маҳсулоти фаъоли FET Навъи N-канал Технологияи MOSFET (Оксиди металлӣ) Дренаж ба шиддати манбаъ (Vdss) 60 В ҷорӣ – Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 30... -
BFS481H6327 микросхемаҳои интегралӣ Танзими ҷорӣ/идоракунии аналогии мултипликаторҳо
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – Биполярӣ (BJT) – Силсилаи RF Mfr Infineon Technologies - Tape Package & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Ҳолати Маҳсулоти Transistor Active Type 2 NPN (Dual) Voltage Тақсими эмитент (макс) басомади 12V – Гузариш 8 ГГц Тасвири садои (дБ Намуди @ f) 0.9дБ ~ 1.2дБ @ 900МГс ~ 1.8ГГц Гирифтани 20дБ Қувва – Макс 175мВт афзоиши ҷараёни DC (hFE) (мин) ... -
AQX TPA3130D2DAPR Чипи нав ва аслии интегралӣ Circuit ic TPA3130D2DAPR
ТАВСИФИ Маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категория Схемаи интегралӣ (ICs) FPGA-ҳои дарунсохташуда (Массиви дарвозаи барномарезишаванда) Mfr AMD Xilinx Series Spartan®-6 LX Табақи бастаи Статуси маҳсулот Миқдори фаъоли LABs/CLBs 7911 Шумораи Элементҳои мантиқӣ Рақамҳои умумии RAM1971 Шиддати I/O 326 - Таъмини 1.14V ~ 1.26V Намуди васлкунӣ Ҳарорати корӣ дар рӯи замин 0°C ~ 85°C (TJ) Баста / Парвандаи 484-BBGA Бастаи дастгоҳи таъминкунандаи 484-FBGA (23×23) ... -
IRF9540NSTRLPBF Ҷузъҳои электронии нав ва аслӣ Схемаҳои интегралӣ
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Tape & Reel (TR) Cut Lanet (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type Technology P-FETtal (OffetMe) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 100 В ҷорӣ – Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 23A (Tc) Шиддати диск (Макс Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 14A, ... -
AQX IRF7416TRPBF Чипи нав ва аслии интегралӣ Circuit IRF7416TRPBF
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Tape & Reel (TR) Cut Lanet (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type Technology P-FETtal (OffetMe) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 30 В ҷорӣ - Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 10A (Ta) Шиддати гардонанда (Макс Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V Rds On (макс) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5,6А, 1... -
IPD068P03L3G оригиналии ҷузъҳои электронии IC чипи MCU BOM хидматрасонӣ дар саҳҳомӣ IPD068P03L3G
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Як Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Tape Package & Reel (TR) Cut Lenta (CT) Digi-Reel® Статуси маҳсулот Active FET Type P-Channel Technology Oxide (MFET) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 30 В ҷорӣ - Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 70A (Tc) Шиддати диск (Макс Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 мОм @ 70A, ... -
IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Чип ҷузъи нави электронии
IPD042P03L3 G Ҳолати такмилдиҳии канали P-канал Транзистори Field-Effect (FET), -30 V, D-PAK Infineon оилаҳои хеле инноватсионии Opti MOS™ -ро дар бар мегиранд MOSFET-ҳои қувваи канал.Ин маҳсулот пайваста ба талаботи баландтарини сифат ва иҷроиш дар мушаххасоти калидӣ барои тарҳрезии системаи энергетикӣ, аз қабили муқовимати давлатӣ ва рақами хусусиятҳои шоиста мувофиқат мекунанд.Хулосаи Хусусиятҳо Ҳолати такмилдиҳии мантиқӣ Сатҳи тарма баҳо дода шудааст Гузариши зуд Dv/dt баҳои Pb-пласти RoHS мувофиқ, Q бидуни галоген... -
Чипи нави аслии интегралӣ BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC
BSZ040N06LS5 Сатҳи мантиқии MOSFETs OptiMOS™ 5 Infineon барои пуркунии бесим, адаптер ва барномаҳои телекоммуникатсионӣ хеле мувофиқанд.Пардохти пасти дарвозаи дастгоҳҳо (Q g) талафоти гузаришро бе осеб расонидан ба талафоти интиқол кам мекунад.Нишондиҳандаҳои такмилёфта имкон медиҳанд, ки амалиёт дар басомадҳои баланди коммутатсионӣ анҷом дода шаванд.Ғайр аз он, гардонандаи сатҳи мантиқӣ шиддати ҳадди ниҳоии дарвозаро (V GS(th)) таъмин мекунад, ки имкон медиҳад MOSFETs дар 5V ва мустақиман аз микроконтроллерҳо ронда шаванд.Хулосаи... -
Чипи Merrill нав ва аслӣ дар саҳҳомӣ ҷузъҳои электронии микросхемаҳои интегралӣ IC IRFB4110PBF
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категория Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Як Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Ҳолати Маҳсулоти FET Type N-kanal Технологияи MOSFET (оксиди металлӣ) Дренаж ба Сарчашма (V0 0) (Id) @ 25°C 120A (Tc) Шиддати диск (Макс Rds фурӯзон, Min Rds On) 10V Rds On (макс) @ Id, Vgs 4,5mOhm @ 75A, 10V Vgs(th) (макс) @ ID 4V @ 250µA Дарвозаи Ча... -
BOM Quotation ҷузъҳои электронӣ ронандаи IC Chip IR2103STRPBF
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Схемаи интегралӣ (ICs) Идоракунии нерӯи барқ (PMIC) href=”https://www.digikey.sg/en/products/filter/gate-drivers/730″ Gate Drivers Mfr Infineon Technologies Series - Маҷмӯи тасма ва Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Ҳолати Маҳсулоти фаъол Конфигуратсияи Нимпули канал Намуди мустақили ронандагон 2 Навъи дарвозаи IGBT, Шиддати N-kanal MOSFET - Таъмини шиддати мантиқии 10V ~ 20V - VIL, VIH .. . -
ICL5102 ҷузъҳои модулҳои электронии микросхемаҳои нав ва аслии интегралӣ IC чипи хотира
Бо ICL5102 Infineon як контролери комбои хеле ҳамгирошудаи IC-ро бо вуруди универсалии 70В то 325В пешниҳод мекунад, ки ба истеҳсолкунандагон имкон медиҳад, ки тарҳҳои ҷаҳониро амалӣ созанд ва арзиши навъҳои маҳсулот ва захираро паст нигоҳ доранд.Самаранокии баландтарини то 94 фоиз аз рӯи топологияи резонансӣ, омили THD камтар аз 3,5 фоиз ва коэффициенти баландшиддати зиёда аз 0,95 имкон медиҳад, ки истеҳсоли бештари люмен ва сарбории гармии камтар дошта бошад, ки тарҳҳои камхарҷро фароҳам меорад ва хароҷоти LEDҳо ва гармкунакҳоро нигоҳ медорад. паст.Бо шарофати сатҳи баланд ... -
ESD101B102ELE6327 Таъминкунандаи электронии интегралӣ нав ва аслӣ дар саҳҳомии Bom Service аслӣ
Мушаххасоти маҳсулот Cd – Иқтидори диод 0,2 pF Шиддати клампинг 30 V Ipp – Қуллаи импульс 2 A Ҳарорати ҳадди аксар + 125 C Ҳарорати ҳадди ақали корӣ - 55 C Шумораи каналҳо 1 Бастаи канал / Парвандаи TSSLP-2 Қутбӣ Қутбӣ Набзи дуҷониба Пппси 30 Вт Намуди Маҳсулоти ТВS Диодҳо Тарзи хатми SMD/SMT Vesd - Шиддати ESD Фосилаи ҳаво 14 кВ Vesd - Шиддати ESD Тамос 12 кВ Шиддати корӣ 5,5 V Тавсифи ESD Suppressors / TVS...
