-
Рӯйхати иқтибосҳои BOM IC IDW30C65D2 Схемаи интегралӣ бо сифати баланд
ТАВСИФИ МАҲСУЛОТ ТАВСИФИ категория Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Диодҳо – Ислоҳкунандаҳо – Массивҳо Mfr Infineon Technologies Series Rapid 2 Tube Status Маҳсулоти конфигуратсияи диодҳои фаъол 1 ҷуфт Диодҳои умумии катодӣ Намуди шиддати стандартӣ – DC баръакс (Vr6 A) (Vr6Max) Io) (дар як диод) 15А шиддат - Ба пеш (Vf) (Макс) @ Агар 2,2 В @ 15 A Барқароркунии зуд =< 500нс, > 200mA (Io) Барқароркунии баръакс... -
Асли нави BSZ100 транзистори PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS чипи интегралӣ IC дар саҳҳомӣ
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Як Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Tape Package & Reel (TR) Cut Lenta (CT) Digi-Reel® Статуси маҳсулот Active FET Type N-ChannelOSFET (Texnoloji Oxide Mfr) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 60 В ҷорӣ – Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 40A (Tc) Шиддати гардонанда (Макс Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (макс) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20А, 10В... -
BSZ060NE2LS IC чипи нави аслии интегралӣ бо сифати баланд бо нархи беҳтарин
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категория Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Трансисторҳо – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Tape Package & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статуси маҳсулот Технологияи Active FET Type N-FETal (Opxide) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 25 В ҷорӣ - Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 12A (Ta), 40A (Tc) Шиддати гардонанда (Макс Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @... -
(СТОК) BSS138NH6327 нав ва аслии ҷузъҳои электронии моли гарм
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категория Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Силсилаи ягона Mfr Infineon Technologies Силсилаи SIPMOS® Tape Package & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Ҳолати Маҳсулоти Active FET Type Technology MOSFETtal (N-FETtal) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 60 В ҷорӣ – Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 230mA (Ta) Шиддати гардонанда (Макс Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V Rds On (макс) @ Id, Vgs 3,5 Ом @ 230мА... -
Original нав дар саҳҳомӣ MOSFET транзистори диод тиристор SOT-223 BSP125H6327 IC Чипи ҷузъи электронии
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категория Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Силсилаи ягона Mfr Infineon Technologies Силсилаи SIPMOS® Tape Package & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Ҳолати Маҳсулоти Active FET Type Technology MOSFETtal (N-FETtal) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 600 В ҷорӣ - Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 120mA (Ta) Шиддати гардонанда (Макс Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V Rds On (макс) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120мА... -
Бренди нави аслии MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI бо сифати баланд бо нархи беҳтарин
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Як Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Tape Package & Reel (TR) Cut Lenta (CT) Digi-Reel® Статуси маҳсулот Active FET Type N-ChannelOSFET (Texnoloji Oxide Mfr) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 30 В ҷорӣ - Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 23A (Ta), 100A (Tc) Шиддати диск (Макс Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Макс) @ ID, Vgs 2,8м... -
Чипи нав ва аслӣ дар саҳҳомии интегралӣ BSC160N10NS3G Ic бо сифати баланд
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Як Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Tape Package & Reel (TR) Cut Lenta (CT) Digi-Reel® Статуси маҳсулот Active FET Type N-ChannelOSFET (Texnoloji Oxide Mfr) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 100 В ҷорӣ - Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 42A (Tc) Шиддати диск (Макс Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Макс) @ ID, Vgs 16mOh... -
Схемаи нав ва аслии BSC100N06LS3G бо сифат
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Як Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Tape Package & Reel (TR) Cut Lenta (CT) Digi-Reel® Статуси маҳсулот Active FET Type N-ChannelOSFET (Texnoloji Oxide Mfr) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 60 В ҷорӣ - Резиши муттасил (Id) @ 25°C 12A (Ta), 50A (Tc) Шиддати диск (Макс Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Макс) @ ID, Vgs 10mOh... -
Chip BSC070N10NS3G Ic бо нархи беҳтарин ҷузъи электронии аслӣ бо сифати баланд
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Як Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Tape Package & Reel (TR) Cut Lenta (CT) Digi-Reel® Статуси маҳсулот Active FET Type N-ChannelOSFET (Texnoloji Oxide Mfr) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 100 В ҷорӣ - Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 90A (Tc) Шиддати гардонандаи (Макс Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50А, 10В... -
BSC060N10NS3G Чипи нав ва аслии интегралӣ Ic BSC060N10NS3G
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Як Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Tape Package & Reel (TR) Cut Lenta (CT) Digi-Reel® Статуси маҳсулот Active FET Type N-ChannelOSFET (Texnoloji Oxide Mfr) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 100 В ҷорӣ - Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 14.9A (Ta), 90A (Tc) Шиддати диск (Макс Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Макс) @ ID, Vgs 6mOh... -
Нав ва аслии интегратсионӣ ба фурӯши гарми ҷузъҳои электронии IC чип BSC016N06NS
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – FETs, MOSFETs – Як Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Tape Package & Reel (TR) Cut Lenta (CT) Digi-Reel® Статуси маҳсулот Active FET Type N-ChannelOSFET (Texnoloji Oxide Mfr) ) Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) 60 В ҷорӣ - Резиши доимӣ (Id) @ 25°C 30A (Ta), 100A (Tc) Шиддати диск (Макс Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOh... -
BFS481H6327 Схемаҳои интегралӣ Танзими ҷорӣ/идоракунии мултипликаторҳои аналогӣ
Хусусиятҳои маҳсулот ТАВСИФИ ТАВСИФ Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ Транзисторҳо – Биполярӣ (BJT) – Силсилаи RF Mfr Infineon Technologies - Tape Package & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Ҳолати Маҳсулоти Transistor Active Type 2 NPN (Dual) Voltage Тақсими эмитент (макс) басомади 12V – Гузариш 8 ГГц Тасвири садои (дБ Намуди @ f) 0.9дБ ~ 1.2дБ @ 900МГс ~ 1.8ГГц Гирифтани 20дБ Қувва – Макс 175мВт афзоиши ҷараёни DC (hFE) (мин) ...
