Илова ба MCU ва MPU, нарасидани микросхемаҳои автомобилӣ IC аз ҳама нигаронкунанда аст, ки аз он IGBT то ҳол дар камчин аст ва давраи таҳвили истеҳсолкунандагони байналмилалии IDM то зиёда аз 50 ҳафта тамдид карда шудааст.Ширкатҳои IGBT-и ватанӣ тамоюли бозорро бодиққат пайгирӣ мекунанд ва иқтидори истеҳсолӣ кам аст.
Дар зери таркиши гармӣ, талабот ва пешниҳодиIGBTхеле зич мебошанд.
IGBT-и автомобилӣ ҷузъи асосии контроллерҳои мотории нави энергетикӣ, кондитсионерҳои автомобилӣ, пӯлодҳои пуркунанда ва дигар таҷҳизот мебошад.Арзиши дастгоҳҳои нимноқили барқ дар мошинҳои нави энергетикӣ нисбат ба мошинҳои анъанавии сӯзишворӣ беш аз панҷ маротиба зиёд аст.Дар байни онҳо, IGBT тақрибан 37% арзиши системаи идоракунии электронии мошинҳои нави энергетикиро ташкил медиҳад, аз ин рӯ он яке аз дастгоҳҳои асосии электронии системаи назорати электронӣ мебошад.
Дар соли 2021, фурӯши мошинҳои нави энергетикии Чин 3,52 миллион ададро ташкил дод, ки нисбат ба як сол 158% афзоиш ёфтааст;Фурӯш дар нимсолаи аввали соли 2022 2,6 миллион ададро ташкил дод, ки нисбат ба як сол тақрибан 1,2 маротиба афзоиш ёфтааст.Интизор меравад, ки фурӯши мошинҳои нави энергетикӣ дар соли 2022 тақрибан ба 5,5 миллион адад мерасад, ки суръати афзоиши солона тақрибан 56% -ро ташкил медиҳад.Бо афзоиши босуръати истеҳсол ва фурӯши мошинҳои нави энергетикӣ, талабот ба IGBT босуръат меафзояд.
Аммо, консентратсияи саноати автомобилсозии дараҷаи IGBT хеле баланд аст.Аз сабаби давраи санҷиши тӯлонии модулҳои дараҷаи автомобилии IGBT ва талаботи баланди техникӣ ва эътимоднокӣ, таъминоти кунунии ҷаҳонӣ ҳоло ҳам асосан дар истеҳсолкунандагони IDM, аз ҷумла Infineon, ON Semiconductor, SEMIKRON, Texas Instruments, STMicroelectronics, Mitsubishi Electric ва ғайра мутамарказ шудааст. Дар асл, баъзе корхонаҳои IDM дар миёнаи сол ба таври оммавӣ изҳор доштанд ва фармоишҳо то соли 2023 пур буданд (ин истисно нест, ки баъзе муштариён метавонанд фармоишҳои аз ҳад зиёд дошта бошанд).
Дар робита ба мӯҳлати таҳвил, вақти ҳозираи таҳвили истеҳсолкунандагони бузурги хориҷӣ умуман тақрибан 50 ҳафта аст.Тибқи гузориши бозори Q4 Future Electronics, IGBT, вақти таҳвили Infineon 39-50 ҳафта, IXYS 50-54 ҳафта, вақти таҳвили Microsemi 42-52 ҳафта ва вақти таҳвили STMicroelectronics 47-52 ҳафта аст.
Чаро нарасидани ногаҳонии ченаки автомобилии IGBT?
Пеш аз хама мухлати сохтмони иктидорхои истехсолй тулонй (умуман кариб 2 сол) буда, васеъ намудани истехсолот дар хариди тачхизот ба душворихо дучор мешавад ва барои харидани тачхизоти кухна мукофоти калон додан лозим аст.Агар иқтидори пешниҳоди IGBT дар бозор аз талабот хеле зиёд бошад, нархи GBT зуд поин меравад.Ширкатҳои Infineon, Mitsubishi ва Fujifilm беш аз ҳаштод дарсади иқтидори истеҳсолии ҷаҳонро ташкил медиҳанд ва талаботи бозор омили калидӣ аст, ки онҳо бояд ба назар гиранд.Сониян, талаботи сатҳи воситаҳои нақлиёт нисбатан баланд аст, пас аз ба итмом расидани он, мушаххасоти маҳсулотро муваққатан танзим кардан мумкин нест, гарчанде ки онҳо ҳама IGBT мебошанд, аммо азбаски онҳо дар воҳидҳои гуногун ҳастанд, талабот ба IGBT комилан фарқ мекунад ва ҳеҷ гуна имкон вуҷуд надорад. омехта карда мешавад, ки боиси харочоти зиёд шудани хатхои истехсол мегардад ва таксим кардан мумкин нест.
Ширкатҳои IGBT дорои ҳаҷми пурраи фармоиш мебошанд ва иқтидори истеҳсолӣ кам аст
Бо сабаби давомнокии тӯлонии IGBT-и IDM-и байналмилалӣ, мошинсозони ватании EV-ро идома медиҳанд, ки ба таъминкунандагони маҳаллӣ муроҷиат кунанд.Дар натиҷа, бисёре аз истеҳсолкунандагони IGBT-и чинӣ фаъолона лоиҳаҳои тавсеаи иқтидорро пайгирӣ мекунанд, зеро онҳо аллакай аз мошинсозон миқдори зиёди фармоишҳои IGBT гирифтаанд.
(1)Ситораи нимноқил
Ҳамчун пешвои IGBT, Star Semiconductor дар се семоҳаи аввали соли ҷорӣ 590 миллион юан фоидаи соф ба даст овард, ки дар муқоиса бо як сол 1,21 маротиба афзоиш ёфт, суръати афзоиш аз даромади амалиётӣ гузашт ва маржаи умумии фурӯш ба 41,07 расид. %, ки нисбат ба семоҳаи гузашта зиёд аст.
Дар брифинги натиҷаҳои семоҳаи сеюм, ки рӯзи 5-уми декабр роҳбарони ширкат муаррифӣ карданд, ки қувваи асосии афзоиши даромад дар семоҳаҳои охир аз афзоиши пайваста ва босуръати маҳсулоти ширкат дар мошинҳои нави энергетикӣ, фотоэлектрикҳо, захираи энергия, нерӯи шамол ва дигар сохахои саноат ва мунтазам афзудани хиссаи бозор;Бо баровардани эффекти миқёс, оптимизатсияи сохтори маҳсулот ва баланд бардоштани самаранокии истеҳсолот ва амалиёт, маржаи умумии ширкат афзоиш меёбад.
Аз нуқтаи назари сохтори даромад, дар моҳҳои январ-сентябр, даромади Star Semiconductor аз саноати нави энергетикӣ (аз ҷумла мошинҳои нави энергетикӣ, тавлиди энергияи нав ва нигоҳдории энергия) беш аз нисфи онро ташкил дод ва қувваи асосии пешбарандаи фаъолияти ширкат гардид. афзоиш.Дар байни онҳо, модулҳои нимноқилҳои автомобилии ширкат дар тӯли солҳои зиёд дар истеҳсолкунандагони автомобилҳои нави энергетикии ватанӣ ба таври васеъ истифода мешаванд ва ҳиссаи бозори он афзоиш ёфта истодааст ва он таъминкунандаи асосии модулҳои нимноқили барқии дараҷаи автомобилӣ барои мошинҳои нави ватанӣ гардид. мошинҳои энергетикӣ.
Тибқи ифшоҳои қаблӣ, модулҳои дараҷаи автомобилии IGBT-и Star Semiconductor барои контроллерҳои асосии мотор афзоишро идома доданд ва дар маҷмӯъ беш аз 500,000 мошинҳои нави энергетикӣ дар нимсолаи аввали сол афзоиш ёфтанд ва интизор меравад, ки шумораи мошинҳо минбаъд афзоиш ёбад. ки дар нимаи дуйуми соли чорй зиёда аз 200 хазор модели класси «А» ва аз он боло гузошта мешавад.
(2)Технологияи Ҳонгвей
Истеҳсолкунандаи IGBT Hongwei Technology низ аз рушди бозори нави энергия баҳра бурд ва ширкат дар се семоҳаи аввали соли ҷорӣ 61,25 миллион юан фоидаи соф ба даст овард, ки дар муқоиса бо як сол тақрибан 30% афзоиш ёфтааст;Дар байни онҳо, семоҳаи сеюм 29,01 миллион юанро ба даст овард, ки дар муқоиса бо як сол тақрибан ду баробар афзоиш ёфт ва маржаи умумии фурӯш 21,77%, тақрибан нисфи Star Semiconductor буд.
Дар робита ба фарқияти маржаи умумии фоида, роҳбарони Macro Micro Technology дар як пурсиши институтсионалӣ дар моҳи ноябр қайд карданд, ки маржаи фоидаи умумии ширкат дар тамоми соли 2022 дар як сатҳ бо соли 2021 аст ва ҳоло ҳам фарқияти муайян вуҷуд дорад. бо ширкатҳои ҳамон соҳа, ки асосан аз болоравии хатҳои истеҳсолӣ зарар дидаанд.
Ширкат фармоишҳои зиёд гирифтааст, аммо аз сабаби нарасидани ашёи хоми асосии болооб ва иқтидори нав иловашудаи санҷиши пӯшидаи ширкат дар марҳилаи болоравӣ аст, он дар айни замон талаботи бозорро пурра қонеъ карда наметавонад.Роҳбарони ширкати Macro Micro Technology муаррифӣ карданд, ки бинобар афзоиши назарраси даромади ширкат аз мошинҳои электрикии фотоэлектрикӣ ва дигар соҳаҳо, ширкат ба ниёзҳои муштариёни поёноб фаъолона посух медиҳад ва сармоягузории дороиҳо пешакӣ аст, дар ҳоле ки хароҷоти амортизатсия якбора меафзояд. .Илова бар ин, тамоми хати истеҳсолии васеъкунӣ ҳанӯз дар марҳилаи болоравӣ қарор дорад ва суръати истифодаи иқтидорҳоро беҳтар кардан лозим аст.Дар оянда, бо тасҳеҳи сохтори барномаҳои поёнии ширкат, беҳбуди истифодаи иқтидорҳо ва пайдоиши эффекти миқёс, интизор меравад, ки маржаи умумии ширкат беҳтар шавад.
(3)Силан микро
Тавре аҲолати IDM нимноқил, Маҳсулоти асосии Silan Micro дорои микросхемаҳои интегралӣ, дастгоҳҳои дискретии нимноқилҳо ва маҳсулоти LED мебошанд.Дар се семоҳаи аввали соли ҷорӣ, ширкат фоидаи софи 774 миллион юан ба даст овард, ки дар муқоиса бо як сол 6,43% афзоиш ёфтааст, ки аз он коҳиши талабот дар бозори поёнобии электроникаи маишӣ, маҳдудиятҳои барқ, ва ғайра, чипи дастгоҳ ва фармоишҳои LED коҳиш ёфт ва фоидаи софи ширкат дар семоҳаи сеюм назар ба як сол тақрибан 40% кам шуд.
Дар як пурсиши институтсионалии ахир, роҳбарони Silan Micro пешгӯӣ карданд, ки даромади ширкат дар семоҳаи чорум мунтазам афзоиш хоҳад ёфт ва маҳсулоти нави энергетикии автомобил тадриҷан ба шартҳои миқдори зиёди интиқол мувофиқат мекунанд;Семоҳаи чоруми бозори молҳои сафед мавсими баландтарин хоҳад буд, ки онро то нимаи аввали соли оянда дароз кардан мумкин аст;Семоҳаи чоруми бозори молҳои сафед мавсими баландтарин хоҳад буд, ки онро то нимаи аввали соли оянда дароз кардан мумкин аст;
Дар бозори IGBT, қубурҳо ва модулҳои ягонаи IGBT Silan Micro дар соҳаи саноат ба таври васеъ истифода шуда, ба энергия ва мошинҳои нав васеъ карда шуданд.Тибқи гузоришҳо, иқтидори истеҳсолии 12-дюймаи IGBT-и ҳармоҳаи ширкат 15,000 дона аст, аммо аз нарасидани субстратҳо, ба стандарти воқеӣ то ҳол расида нашудааст ва ҳоло ҳал карда мешавад, илова бар хати 8-дюймаи ширкат ва 6- хати дюйм дорои иқтидори истеҳсолии IGBT мебошад, аз ин рӯ ҳиссаи даромади маҳсулоти марбут ба IGBT хеле афзоиш ёфтааст ва дар оянда афзоиши минбаъда дар назар аст.
Проблемаи асосие, ки мо хозир дучор меоем, нарасидани субстрат аст.Мо ва таъминкунандагони болоӣ ҳалли FRD (диоди барқарорсозии зуд), ки дар семоҳаи дуюм барои мо мушкили бузург буд ва ҳоло тадриҷан онро ҳал карда истодаем, гуфт роҳбари аршади Шлан Микро.
(4)Дигарон
Илова ба корхонаҳои дар боло зикршуда, тиҷорати IGBT-и ширкатҳои нимноқилӣ, аз қабили BYD Semiconductor, Times Electric, China Resources Micro ва Xinjieneng ба беҳбудии бузург ноил шудааст ва маҳсулоти IGBT-и автомобилӣ низ дар бозор ба пешрафтҳои бузург ноил шудаанд.
China Resources Micro дар назарсанҷии агентии қабулкунанда гуфт, ки иқтидори истеҳсолии хати IGBT8-дюймаи васеъ шуда истодааст ва хати истеҳсолии 12-дюймаи Chongqing низ банақшагирии иқтидори маҳсулоти IGBT дорад.Интизор меравад, ки дар соли ҷорӣ IGBT ба 400 миллион фурӯш ноил шавад, соли оянда фурӯши маҳсулоти IGBT дар саноати автомобилсозӣ ду баробар афзоиш ёбад, ки энергияи нав ва дигар соҳаҳои фурӯшро афзоиш диҳад, ки айни замон 85% -ро ташкил медиҳад.
Times Electric инчунин ба наздикӣ эълон кард, ки ният дорад сармояи Чжучжоу CRRC Times Semiconductor Co., Ltd.-ро 2,46 миллиард юан афзоиш диҳад ва афзоиши сармоя барои CRRC Times Semiconductor барои харидани як қисми дороиҳои ҷузъҳои автомобилӣ, ки лоиҳаҳои сохтмониро дастгирӣ мекунад, истифода мешавад. (аз ҷумла лоиҳаҳои IGBT) аз ширкат.
Истеҳсолкунандагони IGBT ба давраи бонус ворид мешаванд, "спойлер" манбаи беохир
Давраи дивидендҳои IGBT бори аввал пайдо шуд, ки бисёр тарҳҳои навро ҷалб кард.
(1)Xinpengwei
Чанде пеш, Синпэнвэй дар як назарсанҷии институтсионалӣ гуфт, ки лоиҳаи собит ҷамъоварии маблағ барои соли 2022 - лоиҳаи чипҳои нави автомобилии энергетикӣ асосан чипҳои назорати таъминоти барқи баландшиддат, чипҳои ронандаи нимпули баландшиддат, чипҳои драйвери изолятсияи баландшиддат, баландшиддатро таҳия хоҳад кард. микросхемаҳои манбаи ёрирасони шиддат ва дастгоҳҳои интеллектуалии IGBT ва SiC.
Маҳсулоти асосии Xinpeng Micro микросхемаҳои идоракунии нерӯи PMIC, AC-DC, DC-DC, Gate Driver ва дастгоҳҳои ёрирасон мебошанд ва микросхемаҳои кунунии самараноки идоракунии нерӯ дар маҷмӯъ зиёда аз 1300 адад қисмҳоро ташкил медиҳанд.
Xinpengwei гуфт, ки дар се соли оянда, ширкат маҳсулоти пешрафтаи ҳамгирошудаи нимноқилҳои барқро барои бозори назорати саноатӣ дар асоси платформаи комилан такмилёфтаи Smart-SJ, Smart-SGT, Smart-Trench, Smart-GaN технологияи нави интеллектуалии чипи барқӣ ба роҳ мемонад. .
(2) Geely
Дар моҳи октябри соли 2021 гузориш дода шуд, ки IGBT Geely дар ҳоли таҳия аст.Ба наздикӣ, платформаи тендерии Geely "Эълони тендер барои лоиҳаи назоратии марҳилаи якуми Лоиҳаи табдилдиҳии корхонаи микроэлектроникаи Ҷинненг"-ро нашр кард. Дар эълон қайд карда мешавад, ки Geely ба дастаи худсохти бастабандии IGBT ҳамроҳ шуд.
Тибқи эълон, марҳилаи аввали лоиҳаи табдилдиҳии корхонаи Ҷинненг Микроэлектроника тақрибан 5000 метри мураббаъро ташкил медиҳад ва марҳилаи якуми корхона бо истеҳсоли солонаи 600,000 маҷмӯи модулҳои энергетикии IGBT, аз ҷумла 3,000 метри мураббаъ 10,000 сохта шудааст. мураббаъметр хонаю лабораторияхои тоза, 1000 метри мураббаъ станцияхои электрики, 1000 мураббаъметр анбор ва бинохои идоравй.
Хабар дода мешавад, ки системахои харакаткунандаи электрикииGeely New Energy(аз ҷумла Geely, Lynk & Co, Zeekr ва Ruilan), бренди корхонаи муштараки Smart Motor ва Polestar қариб ҳама модулҳои барқи IGBT-ро истифода мебаранд.Extreme Krypton ва Smart Motor 400V SiC-ро ба таври возеҳ истифода хоҳанд кард.
Вақти фиристодан: Декабр-12-2022