Ҷузъи электронии нав ва аслии IRF7103TRPBF IC чип
Хусусиятҳои маҳсулот
| TYPE | ТАВСИФИ |
| Категория | Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Силсила | HEXFET® |
| Баста | Лента ва ғилдирак (TR) Лентаи буриш (CT) Digi-Reel® |
| Ҳолати маҳсулот | Фаъол |
| Навъи FET | 2 канали N (Дугона) |
| Хусусияти FET | Стандарт |
| Резиш ба шиддати манбаъ (Vdss) | 30В |
| Ҷараён - Резиши муттасил (Id) @ 25°C | 6,5А |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 29мОм @ 5,8А, 10В |
| Vgs(th) (Макс) @ ID | 1V @ 250μA |
| Пардохти дарвоза (Qg) (макс) @ Vgs | 33нС @ 10В |
| Иқтидори вуруди (Ciss) (Макс) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Қувваи - Макс | 2W |
| Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Навъи васлкунӣ | Монтажи рӯизаминӣ |
| Баста / парванда | 8-SOIC (0,154 дюйм, паҳнои 3,90 мм) |
| Бастаи дастгоҳи таъминкунанда | 8-СО |
| Рақами маҳсулоти асосӣ | IRF7313 |
Ҳуҷҷатҳо ва ВАО
| НАМУДИ ЗАХИРАХО | LINK |
| Варақаҳои маълумот | IRF7313PbF |
| Дигар ҳуҷҷатҳои марбут | Системаи рақамгузории қисмҳои IR |
| Модулҳои омӯзиши маҳсулот | Қувваи дискретии MOSFETs 40V ва поёнтар Схемаҳои интегралии баландшиддат (дронандагони дарвозаи HVIC) |
| Маҳсулоти пешниҳодшуда | Системаҳои коркарди маълумот |
| Варақаи маълумоти HTML | IRF7313PbF |
| Моделҳои симулятсия | Модели IRF7313 Saber |
Таснифоти экологӣ ва содирот
| АТРИБУТ | ТАВСИФИ |
| Ҳолати RoHS | ROHS3 мувофиқ |
| Сатҳи ҳассосият ба намӣ (MSL) | 1 (Бемаҳдуд) |
| Ҳолати REACH | REACH Бетаъсир |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Захираҳои иловагӣ
| АТРИБУТ | ТАВСИФИ |
| Дигар номҳо | IRF7313PBFDKR SP001562160 IRF7313PBFCT IRF7313PBFTR *IRF7313TRPBF |
| Бастаи стандартӣ | 4000 |
Транзистор як дастгоҳи нимноқилест, ки маъмулан дар пурқувваткунандаҳо ё коммутаторҳои электронӣ идорашаванда истифода мешавад.Транзисторҳо блокҳои асосии сохтмонӣ мебошанд, ки кори компютерҳо, телефонҳои мобилӣ ва дигар схемаҳои электронии муосирро танзим мекунанд.
Аз сабаби суръати вокуниши зуд ва дақиқии баланд, транзисторҳоро барои як қатор вазифаҳои рақамӣ ва аналогӣ, аз ҷумла тақвият, коммутатсионӣ, танзимгари шиддат, модуляцияи сигнал ва осциллятор истифода бурдан мумкин аст.Транзисторҳо метавонанд ба таври инфиродӣ ё дар як минтақаи хеле хурд бастабандӣ карда шаванд, ки метавонанд 100 миллион ё бештар транзисторҳоро ҳамчун як қисми схемаи интегралӣ нигоҳ доранд.
Дар муқоиса бо найчаи электронӣ, транзистор бартариҳои зиёд дорад:
1.Компонент истеъмол надорад
Новобаста аз он ки найча чӣ қадар хуб аст, он аз сабаби тағирёбии атомҳои катод ва ихроҷи музмини ҳаво тадриҷан бад мешавад.Бо сабабҳои техникӣ, транзисторҳо ҳангоми бори аввал сохта шуданашон ҳамон мушкилот доштанд.Бо пешрафтҳо дар маводҳо ва беҳбудиҳо дар бисёр ҷанбаҳо, транзисторҳо одатан назар ба қубурҳои электронӣ аз 100 то 1000 маротиба зиёдтар кор мекунанд.
2. Истеъмоли нерӯи барқ хеле кам
Он танҳо даҳяк ё даҳҳо як найчаи электрониро ташкил медиҳад.Барои тавлиди электронҳои озод ба монанди найчаи электронӣ ба он гарм кардани филамент лозим нест.Радиои транзисторӣ барои гӯш кардани шаш моҳ дар як сол танҳо чанд батареяи хушк лозим аст, ки барои радиои найвӣ иҷро кардан душвор аст.
3. Ба пеш гарм кардан лозим нест
Ҳамин ки шумо онро фурӯзон мекунед, кор кунед.Масалан, радиои транзисторй баробари ба кор даромаданаш хомуш мешавад ва телевизори транзистор бошад, баробари кушода шуданаш расмро ба вучуд меорад.Таҷҳизоти қубурҳои вакуумӣ ин корро карда наметавонад.Пас аз боркунӣ, каме интизор шавед, то садоро бишнаванд, расмро бубинед.Равшан аст, ки дар ҳарбӣ, андозагирӣ, сабт ва ғайра транзисторҳо хеле фоиданоканд.
4.Қавӣ ва боэътимод
100 маротиба эътимодноктар аз найҳои электронӣ, муқовимат ба зарба, муқовимат ба ларзиш, ки бо найҳои электронӣ муқоиса карда намешавад.Илова бар ин, андозаи транзистор танҳо аз даҳяк то садяки андозаи найи электрониро ташкил медиҳад, гармии хеле камро барои тарҳрезии схемаҳои хурд, мураккаб ва боэътимод истифода бурдан мумкин аст.Гарчанде ки раванди истеҳсоли транзистор дақиқ аст, раванд оддӣ аст, ки барои беҳтар кардани зичии насби ҷузъҳо мусоидат мекунад.
