BOM Quotation ҷузъҳои электронӣ ронандаи IC Chip IR2103STRPBF

Хусусиятҳои маҳсулот

Ҳуҷҷатҳо ва ВАО

Таснифоти экологӣ ва содирот

Ронандагони дарвоза

Драйвери дарвоза як пурқувваткунандаи барқ ​​​​мебошад, ки вуруди камқувватро аз контроллер IC қабул мекунад ва барои дарвозаи транзистори пуриқтидор, ба монанди IGBT ё MOSFET, вуруди гардонандаи баландсуръат тавлид мекунад.Драйверҳои дарвоза метавонанд дар чип ё ҳамчун модули дискретӣ таъмин карда шаванд.Дар асл, ронандаи дарвоза аз тағирдиҳандаи сатҳ дар якҷоягӣ бо пурқувваткунанда иборат аст.Драйвери дарвозаи IC ҳамчун интерфейси байни сигналҳои назоратӣ (контроллерҳои рақамӣ ё аналогӣ) ва коммутаторҳои барқ ​​​​(IGBTs, MOSFETs, SiC MOSFETs ва GaN HEMTs) хизмат мекунад.Ҳалли ҳамгирошудаи дарвоза-драйвер мураккабии тарроҳӣ, вақти таҳия, ҳисобномаи мавод (BOM) ва фазои бортро коҳиш медиҳад ва ҳамзамон эътимоднокӣ нисбат ба қарорҳои ба таври дискретӣ амалӣшудаи дарвоза-драйвро беҳтар мекунад.

Таърих

Дар соли 1989, International Rectifier (IR) аввалин маҳсулоти монолитии драйвери дарвозаи HVIC-ро муаррифӣ кард, технологияи микросхемаҳои интегралӣ (HVIC) сохторҳои монолитии патентӣ ва хусусиро истифода мебарад, ки дастгоҳҳои биполярӣ, CMOS ва паҳлӯии DMOS-ро бо шиддати вайроншавӣ аз 700 В ва 1400 боло муттаҳид мекунанд. V барои шиддати ҷуброни корӣ 600 В ва 1200 В.[2]

Бо истифода аз ин технологияи HVIC-сигналҳои омехта, ҳам схемаҳои баландшиддати сатҳи тағирёбанда ва ҳам схемаҳои аналогӣ ва рақамии пастшиддат метавонанд амалӣ карда шаванд.Бо қобилияти ҷойгир кардани схемаи баландшиддати (дар "чоҳе", ки аз ҳалқаҳои полисиликон ташкил шудааст), ки метавонад 600 В ё 1200 В шино кунад, дар ҳамон кремний дуртар аз боқимондаи схемаҳои пастшиддат, канори баланд MOSFETs ё IGBTs дар бисёр топологияҳои маъмули схемаҳои офлайнӣ, аз қабили бак, тақвияти синхронӣ, нимпулӣ, пули пурра ва сефазавӣ мавҷуданд.Драйверҳои дарвозаи HVIC бо коммутаторҳои шинокунанда барои топологияҳое мувофиқанд, ки конфигуратсияҳои паҳлӯи баланд, нимпулӣ ва сефазаро талаб мекунанд.[3]

Мақсад

Бар хилофитранзисторҳои биполярӣ, MOSFETҳо ба вуруди доимии нерӯ ниёз надоранд, ба шарте ки онҳо фурӯзон ё хомӯш нашаванд.Дарвоза-электроди ҷудошудаи MOSFET-ро ташкил медиҳадконденсатор(конденсатори дарвоза), ки бояд ҳар дафъае, ки MOSFET фурӯзон ё хомӯш карда шавад, пур карда ё холӣ карда шавад.Азбаски транзистор барои фурӯзон кардан як шиддати мушаххаси дарвозаро талаб мекунад, конденсатори дарвоза бояд ҳадди аққал ба шиддати зарурии дарвоза барои фурӯзон кардани транзистор пур карда шавад.Ҳамин тавр, барои хомӯш кардани транзистор ин заряд бояд пароканда карда шавад, яъне конденсатори дарвоза холӣ карда шавад.

Ҳангоми фурӯзон ё хомӯш кардани транзистор он фавран аз ҳолати ғайриноқилӣ ба ҳолати ноқилӣ намегузарад;ва метавонад ба таври муваққатӣ ҳам шиддати баландро дастгирӣ кунад ва ҳам ҷараёни баландро гузаронад.Дар натиҷа, вақте ки ҷараёни дарвоза ба транзистор барои иваз кардани он истифода мешавад, миқдори муайяни гармӣ тавлид мешавад, ки дар баъзе ҳолатҳо метавонад барои нобуд кардани транзистор кофӣ бошад.Аз ин рӯ, зарур аст, ки вақти гузаришро то ҳадди имкон кӯтоҳ нигоҳ доред, то ҳадди аққал кам карда шавадталафоти гузариш[de].Вақтҳои маъмулии гузариш дар доираи микросекундҳо мебошанд.Вақти ивазкунии транзистор ба миқдори он мутаносиб астҷорӣбарои пур кардани дарвоза истифода мешавад.Аз ин рӯ, ҷараёнҳои коммутатсионӣ аксар вақт дар доираи якчанд сад талаб карда мешавандмиллиампер, ё ҳатто дар доираиампер.Барои шиддати маъмулии дарвоза тақрибан 10-15V, якчандваттметавонад барои рондани коммутатор қувваи барқ ​​талаб карда шавад.Вақте ки ҷараёнҳои калон дар басомадҳои баланд иваз карда мешаванд, масалан дарТабдилдиҳандаҳои DC-ба DCё калонмоторхои электрики, транзисторҳои сершумор баъзан дар мувозӣ таъмин карда мешаванд, то ки ҷараёнҳои коммутатсионӣ ба қадри кофӣ баланд ва қудрати коммутатсионӣ таъмин карда шаванд.

Сигнали коммутатсионӣ барои транзистор одатан тавассути схемаи мантиқӣ ё амикроконтроллер, ки сигнали баромадро таъмин мекунад, ки маъмулан бо чанд миллиампер ҷараён маҳдуд аст.Аз ин рӯ, транзисторе, ки мустақиман тавассути чунин сигнал идора карда мешавад, хеле суст ва мутаносибан талафоти баланди нерӯи барқ ​​​​мегузарад.Ҳангоми гузариш конденсатори дарвозаи транзистор метавонад ҷараёнро чунон зуд кашад, ки он боиси аз ҳад зиёди ҷараён дар схемаи мантиқӣ ё микроконтроллер мегардад, ки боиси аз ҳад зиёд гарм шудани он мегардад, ки боиси вайроншавии доимӣ ё ҳатто нобудшавии пурраи чип мегардад.Барои пешгирии ин ҳодиса, ронандаи дарвоза байни сигнали баромади микроконтроллер ва транзистори барқ ​​таъмин карда мешавад.

Насосҳои пуркунандаи барқаксар вақт истифода мешавандПулҳои Hдар ронандагон тарафи баланд барои дарвозаи рондани тарафи баланд н-каналMOSFET-ҳои пурқувватваIGBTs.Ин дастгоҳҳо аз сабаби кори хуби худ истифода мешаванд, аммо шиддати гардонандаи дарвозаро чанд вольт болотар аз роҳи оҳан талаб мекунанд.Вақте ки маркази ним купрук паст мешавад, конденсатор тавассути диод барқ ​​​​пур карда мешавад ва ин заряд барои баъдтар рондани дарвозаи дарвозаи тарафи баланди FET чанд вольт болотар аз шиддати манба ё эмитент истифода мешавад, то онро фаъол созад.Ин стратегия хуб кор мекунад, ба шарте ки пул мунтазам иваз карда шавад ва аз мураккабии ба кор даровардани таъминоти ҷудогонаи барқ ​​канорагирӣ кунад ва имкон диҳад, ки дастгоҳҳои n-канал самараноктар барои ҳам барои коммутаторҳои баланд ва ҳам паст истифода шаванд.